一种多芯片扇出型封装结构及其封装方法

本发明一种多芯片扇出型封装结构及其封装方法，属于半导体封装技术领域。其包括带有A芯片金属凸块的A芯片、布线层、A芯片包覆膜和带有B芯片金属凸块的B芯片、再布线层、B芯片包覆膜，B芯片设置于A芯片垂直上方区域，B芯片外侧区域设置穿孔，填充金属料，A芯片与B芯片通过包覆穿孔填充金属料、布线层、再布线层完成信号互联。所述再布线层上方设置钝化保护层和金属连接件，生成最终的封装体。本发明提高了产品的可靠性并降低了产品成本。

申请（专利）号:CN201711454534.1

申请（专利权）人:江阴长电先进封装有限公司 

发明（设计）人:张爱兵,陈栋,孙超,张黎,陈锦辉,赖志明